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Samsung lance la production en masse de la DRAM DDR5 EUV 14 nm la plus avancée.



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Samsung lance la production en masse de la DRAM DDR5 EUV 14 nm la plus avancée.

Samsung Electronics, leader mondial des technologies de mémoire avancées, a annoncé aujourd'hui qu'elle avait commencé à produire en masse la plus petite DRAM du secteur, de 14 nanomètres (nm), basée sur la technologie de l'ultraviolet extrême (EUV). Après avoir expédié la première DRAM EUV du secteur en mars de l'année dernière, Samsung a augmenté le nombre de couches EUV à cinq afin de proposer le processus DRAM le plus fin et le plus avancé du moment pour ses solutions DDR5.

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" Nous avons dominé le marché de la DRAM pendant près de trois décennies en lançant des innovations technologiques clés en matière de patterning ", a déclaré Jooyoung Lee, vice-président senior et responsable des produits et technologies DRAM chez Samsung Electronics. "Aujourd'hui, Samsung pose un nouveau jalon technologique avec l'EUV multicouche qui a permis une miniaturisation extrême à 14 nm, un exploit impossible à réaliser avec le procédé conventionnel au fluorure d'argon (ArF). En nous appuyant sur cette avancée, nous continuerons à fournir les solutions de mémoire les plus différenciées en répondant pleinement au besoin de performances et de capacités accrues dans le monde axé sur les données de la 5G, de l'IA et du métavers."

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Alors que les DRAM continuent de descendre dans la gamme des 10 nm, la technologie EUV devient de plus en plus importante pour améliorer la précision du modelage afin d'accroître les performances et les rendements. En appliquant cinq couches EUV à ses DRAM 14 nm, Samsung a atteint la plus haute densité de bits tout en améliorant la productivité globale de la tranche d'environ 20 %. En outre, le processus 14 nm permet de réduire la consommation d'énergie de près de 20 % par rapport au nœud DRAM de la génération précédente.

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Tirant parti de la toute dernière norme DDR5, la DRAM 14 nm de Samsung permettra de débloquer des vitesses sans précédent allant jusqu'à 7,2 gigabits par seconde (Gbps), soit plus du double de la vitesse de la DDR4 (jusqu'à 3,2 Gbps). Samsung prévoit d'étendre son portefeuille de DDR5 en 14 nm pour prendre en charge les applications des centres de données, des superordinateurs et des serveurs d'entreprise. Samsung prévoit également de faire passer la densité de ses puces DRAM 14 nm à 24 Go afin de mieux répondre à la demande de données en croissance rapide des systèmes informatiques mondiaux.

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News postée par : Conrad56
Date : 13/10/21 à 07h46
Catégorie : Mémoire
Nombre d'affichages : 482
Source de la news : TECHPOWERUP
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